專業(yè)制造介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀
型 號gdat-c
更新時間2024-11-19
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
報價
產(chǎn)品概述
c類介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測試儀由Q表、測試裝置，電感器及標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成，能對絕緣材料進行高頻介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε）的測試。它符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
基于串聯(lián)諧振原理的《GDAT高頻Q表》是測試系統(tǒng)的二次儀表，其數(shù)碼化主調(diào)電容器的創(chuàng)新設(shè)計代表了行業(yè)的zui高成就，
隨之帶來了頻率、電容雙掃描GDAT的全新搜索功能。該表具有先進的人機界面，采用LCD液晶屏顯示各測量因子：Q值、
電感L、主調(diào)電容器C、測試頻率F、諧振趨勢指針等。高頻信源采用直接數(shù)字合成,測試頻率10KHz-60MH或200KHz-
160MHz，頻率精度高達1×10-6。國標(biāo)GB/T 1409-2006規(guī)定了用Q表法來測定電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）和介
電常數(shù)（ε），把被測材料作為平板電容的介質(zhì)，與輔助電感等構(gòu)成串聯(lián)諧振因子引入Q表的測試回路，以獲取zui高的測試靈
敏度。因而Q表法的測試結(jié)果更真實地反映了介質(zhì)在高頻工作狀態(tài)下的特征。
◎ 測試裝置符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
2 主要技術(shù)指標(biāo)：
2.1 tanδ和ε性能：
2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測試。
2.1.2 tanδ和ε測量范圍：
tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50
2.1.3 tanδ和ε測量精度（1MHz）：
tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%
2.2 Q表
| 1 | 型號 | 60MHz | 160MHz |
| 2 | 工作頻率范圍 | 10kHz～60MHz 四位數(shù)顯，數(shù)字合成 精度：±50ppm | 50kHz～160MHz 四位數(shù)顯，數(shù)字合成 精度：±50ppm |
| 3 | Q值測量范圍 | 1～1000 四位數(shù)顯，±0.1Q分辨率 | 1～1000 四位數(shù)顯，±0.1Q分辨率 |
| 4 | 可調(diào)電容范圍 | 40～500 pF ΔC±3pF | 13～230 pF |
| 5 | 電容測量誤差 | ±1%±1pF | ±1%±0.5pF |
| 6 | Q表殘余電感值 | 約20nH | 約8nH |
2.3 介質(zhì)損耗裝置：
2.3.1 平板電容器極片尺寸：
c類:Φ38mm和Φ50mm二種.
c類:Φ38mm .
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：
0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性：
0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：
±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：
25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:
≤2.5×10-4
2.5 高頻介質(zhì)樣品（選購件）：
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測量儀提供的測量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測試樣品。用戶可按需訂購，以保證測試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。
電感:
線圈號 測試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz，50MHz 233，211 0.9 0.125μH
